AP1203GMA

更新时间： 2024-01-04 07:46:10

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富鼎先进 - A-POWER		/
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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP1203GMA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP6,.11,37	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	可调阈值：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	端子数量：	6
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP6,.11,37	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	5/36 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Power Management Circuits
最大供电电流 (Isup)：	2.5 mA	表面贴装：	YES
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.95 mm	端子位置：	DUAL
阈值电压标称：	+5V	Base Number Matches：	1

AP1203GMA 数据手册

AP1203GMA

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ SO-8 similar area footprint and pin assignment

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

12mΩ

47A

▼ Fast Switching Speed

▼ RoHS Compliant

Description

The APAK-5 package is preferred for all commercial-industrial surface

mount applications and suited for low voltage applications such as

DC/DC converters.

APAK-5

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

120

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy⁴

0.29

W/℃

E_AS

I_AR

Avalanche Current

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

3.4

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200408053-1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AP1212	ANACHIP	获取价格	Dual USB High-Side Power Switch
AP-121215%	VISHAY	获取价格	General Purpose Inductor, 12uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core
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