AP1203GMA

更新时间： 2024-11-15 08:31:23

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	61K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP1203GMA 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	47 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP1203GMA 数据手册

AP1203GMA

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ SO-8 similar area footprint and pin assignment

▼ Low Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

12mΩ

47A

▼ Fast Switching Speed

▼ RoHS Compliant

Description

The APAK-5 package is preferred for all commercial-industrial surface

mount applications and suited for low voltage applications such as

DC/DC converters.

APAK-5

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

120

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy⁴

0.29

W/℃

E_AS

I_AR

Avalanche Current

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

3.4

Rthj-a

Data and specifications subject to change without notice

200408053-1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AP1212	ANACHIP	获取价格	Dual USB High-Side Power Switch
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