5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8504.50.80.00 |
| 风险等级： | 5.7 | 型芯材料： | FERRITE |
| 直流电阻： | 0.062 Ω | 标称电感 (L)： | 47 µH |
| 电感器应用： | POWER INDUCTOR | 电感器类型： | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大额定电流： | 2.8 A | 形状/尺寸说明： | CYLINDRICAL PACKAGE |
| 屏蔽： | NO | 表面贴装： | NO |
| 端子位置： | RADIAL | 端子形状： | PRINTED WIRING PIN |
| 测试频率： | 0.001 MHz | 容差： | 5% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4800AGM | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| AP4800AGM_07 | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4800AGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
| AP4800BGM | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET Gener |
|
| AP4800BGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
| AP4800CGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
|
| AP4800DGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
|
| AP4800GEM | A-POWER |
获取价格 |
SO-8 |
|
| AP4800GM | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP4800GYT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
