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AP4835GMT-HF

更新时间： 2024-10-02 12:52:07

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管驱动
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4页	100K
描述
Simple Drive Requirement, SO-8 Compatible

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AP4835GMT-HF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.68
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.021 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4835GMT-HF 数据手册

AP4835GMT-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-30V

21mΩ

-32A

▼ SO-8 Compatible

▼ Low On-resistance

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

□

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The PMPAK^®5x6 package is special for DC-DC converters application

and the foot print is compatible with SO-8 with backside heat sink.

PMPAK^®5x6

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

+25

I_D@T_C=25℃

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current (Chip)

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

-32

-12.5

-10

-70

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

31.3

℃

Total Power Dissipation

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

Rthj-a

Data & specifications subject to change without notice

201005031

12 3 4

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