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AMP150N06T

更新时间： 2024-11-05 17:01:39

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华微电子 - JSMC		/
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8页	1170K
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TO-247

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AMP150N06T 数据手册

N 沟道增强型场效应晶体管

N- CHANNEL MOSFET

AMP150N06T

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS

封装 Package

150 A

VDSS

60 V

Rdson-max（@Vgs=4V） 9.0 mΩ

Rdson-max（@Vgs=10V） 7.5 mΩ

Qg-typ

241.83 nC

APPLICATIONS

 High efficiency switch

mode power supplies

 Electronic lamp ballasts

based on half bridge

 UPS

用途

 高频开关电源

 电子镇流器

 UPS 电源

产品特性

低栅极电荷

FEATURES

Low gate charge

低 C_rss(典型值 324pF)

开关速度快

Low C_rss(typical 324pF )

Fast switching

产品全部经过雪崩测试

高抗 dv/dt 能力

RoHS 产品

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

RoHS product

订货信息 ORDER MESSAGE

订货型号 Order codes

无卤-条管有卤-编带

印记

封装

耿利红

李大喆

有卤-条管

无卤-编带

_{Halogen-Free-Tube Halogen-R}2_ee0_l23_H-_a1_lo1_g-_en2_-4_Free-Re2_el023-^M1^a1^r-^ki2ⁿ4^g

Package

Halogen-Tube

AMP150N06T-GE-B AMP150N06T-GE-BR

N/A

AMP150N06T TO-247

版本：202311A

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