AM82223-010

更新时间： 2024-11-05 22:35:23

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TELEMETRY APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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AM82223-010 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	1.2 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	28 W
最小功率增益 (Gp)：	6.5 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AM82223-010 数据手册

AM82223-010

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

TELEMETRY APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER SITE BALLASTED

:1 VSWR CAPABILITY AT RATED

CONDITIONS

∞

LOW THERMAL RESISTANCE

INPUT/OUTPUT MATCHING

OVERLAY GEOMETRY

.400 x .400 2NLFL (S042)

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

hermetically sealed

P_OUT

9 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN

ORDER CODE

BRANDING

82223-10

AM82223-010

DESCRIPTION

PIN CONNECTION

The AM82223-010 is a common base, silicon

NPN bipolar transistor designed for high gain

and efficiency in the 2.2 − 2.3 GHz frequency

range.

Suitable for hi-rel aerospace telemetry applica-

tions, the AM82223-010 is provided in the indus-

try-standard AMPAC™ metal/ceramic hermetic

package and incorporates internal input and out-

put impedance matching structures along with a

rugged, emitter-site ballasted overlay die geome-

try.

AM82223-010 is capable of withstanding :1

load mismatch at any phase angle under full

rated operating conditions.

∞

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

Unit

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤ 75˚C)

1.2

V_CC

T_J

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature

Storage Temperature

200

T_STG

65 to +200

−

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

4.4

*Applies only to rated RF amplifier operation

NOTE: Thermal Resistance determined by Infra-Red Scanning of Hot-Spot

Junction Temperature at rated RF operating conditions.

1/3

August 31, 1994

12 3

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