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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> AM80912-030
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AM80912-030

更新时间： 2024-11-17 22:05:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体射频和微波晶体管开关电子航空局域网
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6页 96K
描述
AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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AM80912-030 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.32Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：BASE
最大集电极电流 (IC)：3.5 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15最高频带：L BAND
JESD-30 代码：S-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：250 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：75 W最小功率增益 (Gp)：7.8 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AM80912-030 数据手册

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AM80912-030  
RF & MICROWAVE TRANSISTORS  
SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONS  
.
.
.
.
.
.
.
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION  
EMITTER SITE BALLASTED  
15:1 VSWR CAPABILITY  
LOW RF THERMAL RESISTANCE  
INPUT/OUTPUT MATCHING  
OVERLAY GEOMETRY  
.400 x .400 2LFL (S036)  
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE  
hermetically sealed  
POUT  
30 W MIN. WITH 7.8 dB GAIN  
=
BRANDING  
80912-30  
ORDER CODE  
AM80912-030  
DESCRIPTION  
PIN CONNECTION  
The AM80912-030 device is a high power Class C  
transistor specifically designed for JTIDS pulsed out-  
put and driver applications.  
This device is capable of operation over a wide range  
of pulse widths, duty cycles and temperatures and is  
capable of withstanding 15:1 output VSWR at rated  
RF conditions.  
Low RF thermal resistance and computerized auto-  
matic wire bonding techniques ensure high reliability  
and product consistency.  
The AM80912-030 is supplied in the hermetic met-  
al/ceramic package with internal input matching  
structures.  
1. Collector  
2. Base  
3. Emitter  
4. Base  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C)  
case  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
°
PDISS  
Power Dissipation*  
Collector Current*  
(TC ≤ 85 C)  
75  
W
A
IC  
VCC  
TJ  
3.5  
40  
Collector-Supply Voltage*  
V
°
Junction Temperature (Pulsed RF Operation)  
Storage Temperature  
250  
C
C
°
TSTG  
− 65 to +200  
THERMAL DATA  
RTH(j-c)  
Junction-Case Thermal Resistance  
2.2  
°C/W  
*Applies only to rated RF amplifier operation.  
August 1992  
1/6  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM80912-085 STMICROELECTRONICS

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 		AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS
AM80A ASTEC

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 		240 Watts
AM80A-024L-065F27 ASTEC

获取价格

 		240 Watts
AM80A-048L-012F60 ASTEC

获取价格

 		240 Watts
AM80A048L022F60 ETC

获取价格

 		Analog IC
AM80A-048L-022F60 ASTEC

获取价格

 		240 Watts
AM80A048L033F50 ETC

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 		Analog IC
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 		240 Watts
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