AM80912-085

更新时间： 2024-11-17 22:05:43

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AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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AM80912-085 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	8 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	250 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最小功率增益 (Gp)：	7.5 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AM80912-085 数据手册

AM80912-085

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

AVIONICS APPLICATIONS

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

EMITTER SITE BALLASTED

5:1 VSWR CAPABILITY

LOW THERMAL RESISTANCE

INPUT/OUTPUT MATCHING

OVERLAY GEOMETRY

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

P_OUT= 85 W MIN. WITH 7.5 dB GAIN

.400 x .400 2NLFL (S042)

hermetically sealed

ORDER CODE

AM80912-085

BRANDING

80912-85

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The AM80912-085 is designed for specialized

avionics applications including JTIDS, where

power is provided under pulse formats utilizing

short pulse widths and high burst or overall duty

cycles.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

The AM80912-085 is housed in a unique BIG-

PAC Hermetic Metal/Ceramic package with in-

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

Parameter

Value

Unit

P_DISS

Power Dissipation* (T_C≤ 100°C)

300

I_C

V_CC

T_J

Device Current*

8.0

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature (Pulsed RF Operation)

Storage Temperature

250

T_STG

− 65 to +200

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

0.75

°C/W

*Applies only to rated RF amplifier operation

August 1992

1/5

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