是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.13 |
最长访问时间: | 90 ns | 其他特性: | EMBEDDED ALGORITHMS; 20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK |
备用内存宽度: | 8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 9 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AM29LV160DB-90WCI | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV160DB90WCK | SPANSION |
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1MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA48, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48 | |
AM29LV160DB-90WCK | SPANSION |
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1MX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PBGA48, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48 | |
AM29LV160DT120EC | SPANSION |
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1MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP-48 | |
AM29LV160DT-120EC | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV160DT120ED | SPANSION |
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Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, LEAD FREE, MO-142DD, TSOP-48 | |
AM29LV160DT-120ED | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV160DT120EE | SPANSION |
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1MX16 FLASH 3V PROM, 120ns, PDSO48, TSOP-48 | |
AM29LV160DT-120EE | AMD |
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16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory | |
AM29LV160DT-120EE | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, MO-142DD, TSOP-48 |