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AM29LV008BB-120EEB

更新时间: 2024-02-10 04:22:37
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
38页 462K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory

AM29LV008BB-120EEB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP40,.8,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
部门数/规模:1,2,1,15端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
就绪/忙碌:YES反向引出线:YES
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.03 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

AM29LV008BB-120EEB 数据手册

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P R E L I M I N A R Y  
PRODUCT SELECTOR GUIDE  
Family Part Number  
Am29LV008B  
Regulated Voltage Range: V =3.0–3.6 V  
-70R  
CC  
Speed Options  
Max access time, ns (t  
Full Voltage Range: V = 2.7–3.6 V  
-80  
-90  
90  
90  
35  
-120  
120  
120  
50  
CC  
)
70  
70  
30  
80  
80  
30  
ACC  
Max CE# access time, ns (t  
)
CE  
Max OE# access time, ns (t  
)
OE  
Note: See “AC Characteristics” for full specifications.  
BLOCK DIAGRAM  
DQ0DQ7  
RY/BY#  
V
CC  
Sector Switches  
V
SS  
Erase Voltage  
Generator  
Input/Output  
Buffers  
RESET#  
State  
Control  
WE#  
Command  
Register  
PGM Voltage  
Generator  
Data  
Latch  
Chip Enable  
Output Enable  
Logic  
STB  
CE#  
OE#  
Y-Decoder  
Y-Gating  
STB  
V
Detector  
Timer  
CC  
Cell Matrix  
X-Decoder  
A0–A19  
21524B-1  
Am29LV008B  
3

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