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AM29LV004T-70RFD PDF预览

AM29LV004T-70RFD

更新时间： 2024-11-09 03:28:07
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
36页 459K
描述
Flash, 512KX8, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-40

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AM29LV004T-70RFD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.23最长访问时间：70 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK启动块：TOP
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e3
长度：18.4 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：40
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

AM29LV004T-70RFD 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29LV004  
4 Megabit (512 K x 8-Bit)  
CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
— Full voltage range: 2.7 to 3.6 volt read and write  
operations for battery-powered applications  
■ Embedded Algorithms  
— Regulated voltage range: 3.0 to 3.6 volt read  
and write operations and for compatibility with  
high performance 3.3 volt microprocessors  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
■ High performance  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
— Full voltage range: access times as fast as 100  
ns  
■ Typical 1,000,000 write cycles per sector  
— Regulated voltage range: access times as fast  
as 90 ns  
(100,000 cycles minimum guaranteed)  
■ Package option  
■ Ultra low power consumption (typical values at  
— 40-pin TSOP  
5 MHz)  
■ Compatibility with JEDEC standards  
— 200 nA Automatic Sleep mode current  
— 200 nA standby mode current  
— 10 mA read current  
— Pinout and software compatible with single-  
power supply Flash  
— Superior inadvertent write protection  
— 20 mA program/erase current  
■ Data# Polling and toggle bits  
■ Flexible sector architecture  
— Provides a software method of detecting  
program or erase operation completion  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
seven 64 Kbyte sectors  
■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)  
— Supports full chip erase  
— Provides a hardware method of detecting  
program or erase cycle completion  
— Sector Protection features:  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
— Hardware method to reset the device to reading  
array data  
This document contains information on a product under development at Advanced Micro Devices. The information  
is intended to help you evaluate this product. AMD reserves the right to change or discontinue work on this proposed  
product without notice.  
Publication# 20510 Rev: D Amendment/+1  
Issue Date: March 1998  
Refer to AMD’s Website (www.amd.com) for the latest information.  
1234567...36

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29LV004T-70RFF SPANSION

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