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AM29F800BT-90EE

更新时间： 2024-11-04 05:29:19
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
39页 486K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

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AM29F800BT-90EE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.36最长访问时间：90 ns
其他特性：MINIMUM 1,000,000 PROGRAM/ERASE CYCLES PER SECTOR; 20-YEAR DATA RETENTION备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YES数据保留时间-最小值：20
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,15端子数量：48
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：512KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mm

AM29F800BT-90EE 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29F800B  
8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ Single power supply operation  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
— 5.0 Volt-only operation for read, erase, and  
program operations  
■ Embedded Algorithms  
— Minimizes system level requirements  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
■ Manufactured on 0.35 µm process technology  
— Compatible with 0.5 µm Am29F800 device  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
■ High performance  
— Access times as fast as 55 ns  
■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per  
■ Low power consumption (typical values at 5  
sector guaranteed  
MHz)  
■ Package option  
— 48-pin TSOP  
— 44-pin SO  
— 1 µA standby mode current  
— 20 mA read current (byte mode)  
— 28 mA read current (word mode)  
— 30 mA program/erase current  
■ Compatibility with JEDEC standards  
— Pinout and software compatible with single-  
power-supply Flash  
■ Flexible sector architecture  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
fifteen 64 Kbyte sectors (byte mode)  
— Superior inadvertent write protection  
■ Data# Polling and toggle bits  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
fifteen 32 Kword sectors (word mode)  
— Provides a software method of detecting  
program or erase operation completion  
— Supports full chip erase  
■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)  
— Sector Protection features:  
— Provides a hardware method of detecting  
program or erase cycle completion  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
— Suspends an erase operation to read data from,  
or program data to, a sector that is not being  
erased, then resumes the erase operation  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
■ Hardware reset pin (RESET#)  
— Hardware method to reset the device to reading  
array data  
Publication# 21504 Rev: C Amendment/+1  
Issue Date: April 1998  
1234567...39

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F800BT-90EEB AMD

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 		8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F800BT-90EF AMD

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AM29F800BT-90EI AMD

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