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AM29F800BT-70SE

更新时间： 2024-11-04 05:29:19

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超微 - AMD		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
39页	486K
描述
8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

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AM29F800BT-70SE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP44,.63
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.14	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	MINIMUM 1,000,000 PROGRAM/ERASE CYCLES PER SECTOR; 20-YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度：	8	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
数据保留时间-最小值：	20	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	28.2 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	1,2,1,15
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP44,.63	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	2.8 mm	部门规模：	16K,8K,32K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	13.3 mm
Base Number Matches：	1

AM29F800BT-70SE 数据手册

PRELIMINARY

Am29F800B

8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Top or bottom boot block configurations

available

— 5.0 Volt-only operation for read, erase, and

program operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F800 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

■ High performance

— Access times as fast as 55 ns

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

■ Low power consumption (typical values at 5

sector guaranteed

MHz)

■ Package option

— 48-pin TSOP

— 44-pin SO

— 1 µA standby mode current

— 20 mA read current (byte mode)

— 28 mA read current (word mode)

— 30 mA program/erase current

■ Compatibility with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with single-

power-supply Flash

■ Flexible sector architecture

— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and

fifteen 64 Kbyte sectors (byte mode)

— Superior inadvertent write protection

■ Data# Polling and toggle bits

— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and

fifteen 32 Kword sectors (word mode)

— Provides a software method of detecting

program or erase operation completion

— Supports full chip erase

■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)

— Sector Protection features:

— Provides a hardware method of detecting

program or erase cycle completion

A hardware method of locking a sector to

prevent any program or erase operations within

that sector

■ Erase Suspend/Erase Resume

Sectors can be locked via programming

equipment

— Suspends an erase operation to read data from,

or program data to, a sector that is not being

erased, then resumes the erase operation

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

■ Hardware reset pin (RESET#)

— Hardware method to reset the device to reading

array data

Publication# 21504 Rev: C Amendment/+1

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...39

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AM29F800BT-70SIB	AMD	获取价格	8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F800BT-70SK	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 70ns, PDSO44, LEAD FREE, MO-180AA, SOP-44
AM29F800BT-70SK	AMD	获取价格	8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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AM29F800BT-70WBE	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-48
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