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AM29F400BB-75DGI1

更新时间： 2024-11-28 22:29:35

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		闪存内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	136K
描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1

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AM29F400BB-75DGI1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DIE,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.23
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	MIN 1000K WRITE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION ;CAN BE CONFG AS 256K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：	BOTTOM	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	X-XUUC-N43	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	43
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIE
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

AM29F400BB-75DGI1 数据手册

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SUPPLEMENT

Am29F400B Known Good Die

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory—Die Revision 1

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Top or bottom boot block configurations

available

— 5.0 volt-only operation for read, erase, and

program operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F400 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

■ High performance

— Acess time as fast as 70 ns

■ Minimum 1,000,000 write cycle per sector

■ Low power consumption (typical values at 5

guaranteed

MHz)

■ Compatibility with JEDEC standards

— 1 µA standby mode current

— Pinout and software compatible with single-

power-supply Flash

— 20 mA read current (byte mode)

— 28 mA read current (word mode)

— 30 mA program/erase current

— Superior inadvertent write protection

■ Data# Polling and toggle bits

■ Flexible sector architecture

— Provides a software method of detecting

program or erase operation completion

— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and

seven 64 Kbyte sectors (byte mode)

■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)

— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and

seven 32 Kword sectors (word mode)

— Provides a hardware method of detecting

program or erase cycle completion

— Supports full chip erase

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Sector Protection features:

— Suspends an erase operation to read data from,

or program data to, a sector that is not being

erased, then resumes the erase operation

A hardware method of locking a sector to

prevent any program or erase operations within

that sector

■ Hardware reset pin (RESET#)

Sectors can be locked via programming

equipment

— Hardware method to reset the device to reading

array data

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

Publication# 21258 Rev: B Amendment/+1

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AM29F400BB-75DGK2	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, DIE-43
AM29F400BB-75DPC	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
AM29F400BB-75DPC1	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
AM29F400BB-75DPC1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns,
AM29F400BB-75DPC2	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
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AM29F400BB-75DPE	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
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