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AM29F400BB-75DGE1

更新时间： 2024-11-29 20:34:31

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飞索 - SPANSION		内存集成电路
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11页	147K
描述
Flash, 512KX8, 70ns,

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AM29F400BB-75DGE1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIE,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	MIN 1000K WRITE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION ;CAN BE CONFG AS 256K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：	BOTTOM	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	X-XUUC-N43	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	43	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

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SUPPLEMENT

Am29F400B Known Good Die

4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory—Die Revision 2

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Single power supply operation

■ Embedded Algorithms

— 5.0 volt-only operation for read, erase, and

program operations

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

— Minimizes system level requirements

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies data at specified addresses

■ Manufactured on 0.32 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F400 device

■ Minimum 1,000,000 write cycle per sector

■ High performance

guaranteed

— Acess time as fast as 70 ns

■ Compatibility with JEDEC standards

■ Low power consumption (typical values at

— Pinout and software compatible with single-

power-supply Flash

5 MHz)

— 1 µA standby mode current

— Superior inadvertent write protection

— 20 mA read current (byte mode)

— 28 mA read current (word mode)

— 30 mA program/erase current

■ Data# Polling and toggle bits

— Provides a software method of detecting program

or erase operation completion

■ Flexible sector architecture

■ Ready/Busy# pin (RY/BY#)

— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and

seven 64 Kbyte sectors (byte mode)

— Provides a hardware method of detecting

program or erase cycle completion

— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and

seven 32 Kword sectors (word mode)

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends an erase operation to read data from,

or program data to, a sector that is not being

erased, then resumes the erase operation

— Supports full chip erase

— Sector Protection features:

A hardware method of locking a sector to prevent

any program or erase operations within that

sector

■ Hardware reset pin (RESET#)

— Hardware method to reset the device to reading

array data

Sectors can be locked via programming

equipment

■ 20-year data retention at 125°C

■ Tested to datasheet specifications at

Temporary Sector Unprotect feature allows code

changes in previously locked sectors

temperature

■ Quality and reliability levels equivalent to

■ Top or bottom boot block configurations

standard packaged components

available

Publication# 21258 Rev: E Amendment/+2

Issue Date: June 14, 1999

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AM29F400BB-75DGE2	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
AM29F400BB-75DGF1	SPANSION	获取价格	Flash, 512KX8, 70ns,
AM29F400BB-75DGF2	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, DIE-43
AM29F400BB-75DGI	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
AM29F400BB-75DGI1	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die
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AM29F400BB-75DGK2	SPANSION	获取价格	Flash, 256KX16, 70ns, DIE-43
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