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AM29F200AB-150SI PDF预览

AM29F200AB-150SI

更新时间： 2024-11-08 18:12:03
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 465K
描述
Flash, 128KX16, 150ns, PDSO44, SOP-44

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AM29F200AB-150SI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP-44
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.67Is Samacsys：N
最长访问时间：150 ns其他特性：BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度：8启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
湿度敏感等级：3部门数/规模：1,2,1,3
端子数量：44字数：131072 words
字数代码：128000最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP44,.63封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：16K,8K,32K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

AM29F200AB-150SI 数据手册

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PRELIMINARY  
Am29F200A  
2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit)  
CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory  
DISTINCTIVE CHARACTERISTICS  
■ 5.0 V ± 10% for read and write operations  
■ Top or bottom boot block configurations  
available  
— Minimizes system level power requirements  
■ Embedded Algorithms  
■ High performance  
— Embedded Erase algorithm automatically  
preprograms and erases the entire chip or any  
combination of designated sectors  
— Access times as fast as 55 ns  
■ Low power consumption  
— 20 mA typical active read current (byte mode)  
— Embedded Program algorithm automatically  
writes and verifies data at specified addresses  
— 28 mA typical active read current for  
(word mode)  
■ Minimum 100,000 write/erase cycles guaranteed  
■ Package options  
— 30 mA typical program/erase current  
— 1 µA typical standby current  
— 44-pin SO  
■ Sector erase architecture  
— 48-pin TSOP  
— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and  
three 64 Kbyte sectors (byte mode)  
■ Compatible with JEDEC standards  
— Pinout and software compatible with  
single-power-supply flash  
— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and  
three 32 Kword sectors (word mode)  
— Superior inadvertent write protection  
— Supports full chip erase  
■ Data# Polling and Toggle Bit  
— Sector Protection features:  
— Detects program or erase cycle completion  
■ Ready/Busy# output (RY/BY#)  
A hardware method of locking a sector to  
prevent any program or erase operations within  
that sector  
— Hardware method for detection of program or  
erase cycle completion  
Sectors can be locked via programming  
equipment  
■ Erase Suspend/Erase Resume  
Temporary Sector Unprotect feature allows code  
changes in previously locked sectors  
— Supports reading data from a sector not being  
erased  
■ Hardware RESET# pin  
— Resets internal state machine to the reading  
array data  
Publication# 20637 Rev: B Amendment/+4  
Issue Date: January 3, 2000  
1234567...39

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AM29F200AB-150SIB AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-150SK SPANSION

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 		Flash, 128KX16, 150ns, PDSO44, SOP-44
AM29F200AB-55EC AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-55EC SPANSION

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 		Flash, 128KX16, 55ns, PDSO48, TSOP-48
AM29F200AB-55ECB AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-55EE AMD

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 		2 Megabit (256 K x 8-Bit/128 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
AM29F200AB-55EEB AMD

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AM29F200AB-55FC AMD

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