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AM29F040B-150FE

更新时间： 2024-11-26 05:26:31

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超微 - AMD		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	762K
描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F040B-150FE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.37	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	20
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AM29F040B-150FE 数据手册

Am29F040B

4 Megabit (512 K x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10% for read and write operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level power requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.32 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F040 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

■ High performance

— Access times as fast as 55 ns

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

sector guaranteed

■ Low power consumption

■ 20-year data retention at 125°C

— Reliable operation for the life of the system

■ Package options

— 20 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP

■ Flexible sector architecture

— 8 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

— Superior inadvertent write protection

— Sector protection:

■ Data# Polling and toggle bits

A hardware method of locking sectors to prevent

any program or erase operations within that sector

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

Publication# 21445 Rev: E Amendment/0

Issue Date: November 29, 2000

This Data Sheet states AMD’s current technical specifications regarding the Products described herein. This Data

Sheet may be revised by subsequent versions or modifications due to changes in technical specifications.

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