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AM29F040B-150FEB

更新时间： 2024-11-26 05:26:31

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超微 - AMD		/
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30页	372K
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4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F040B-150FEB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.37	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	1000K PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION 20 YEARS	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	20
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AM29F040B-150FEB 数据手册

PRELIMINARY

Am29F040B

4 Megabit (512 K x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

Distinctive Characteristics

■ 5.0 V ± 10% for read and write operations

■ Embedded Algorithms

— Minimizes system level power requirements

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F040 device

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

■ High performance

— Access times as fast as 55 ns

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

sector guaranteed

■ Low power consumption

■ Package options

— 20 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

— 32-pin PLCC, TSOP, or PDIP

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

■ Flexible sector architecture

— 8 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

— Superior inadvertent write protection

■ Data# Polling and toggle bits

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

— Sector protection:

A hardware method of locking sectors to prevent

any program or erase operations within that

sector

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

Publication# 21445 Rev: B Amendment/+2

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...30

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