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AM29F016D-70E4D

更新时间: 2024-11-03 05:15:27
品牌 Logo 应用领域
超微 - AMD 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
43页 1326K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

AM29F016D-70E4D 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
包装说明:TSSOP, TSSOP40,.8,20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.77Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G40内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
部门数/规模:32端子数量:40
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
部门规模:64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

AM29F016D-70E4D 数据手册

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Am29F016D  
Data Sheet  
The following document contains information on Spansion memory products.  
Continuity of Specifications  
There is no change to this data sheet as a result of offering the device as a Spansion product. Any  
changes that have been made are the result of normal data sheet improvement and are noted in the  
document revision summary.  
For More Information  
Please contact your local sales office for additional information about Spansion memory solutions.  
Publication Number 21444 Revision E Amendment 6 Issue Date November 2, 2006  

AM29F016D-70E4D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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