Datasheet > AM29F016D-120F4E

AM29F016D-120F4E

更新时间： 2024-11-01 23:04:19

品牌	Logo	应用领域
超微 - AMD		/
页数	文件大小	规格书
45页	1109K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AM29F016D-120F4E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.47	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	数据保留时间-最小值：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	32
端子数量：	40	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm

AM29F016D-120F4E 数据手册

Am29F016D

Data Sheet

July 2003

The following document specifies Spansion memory products that are now offered by both Advanced

Micro Devices and Fujitsu. Although the document is marked with the name of the company that orig-

inally developed the specification, these products will be offered to customers of both AMD and

Fujitsu.

Continuity of Specifications

There is no change to this datasheet as a result of offering the device as a Spansion product. Any

changes that have been made are the result of normal datasheet improvement and are noted in the

document revision summary, where supported. Future routine revisions will occur when appropriate,

and changes will be noted in a revision summary.

Continuity of Ordering Part Numbers

AMD and Fujitsu continue to support existing part numbers beginning with “Am” and “MBM”. To order

these products, please use only the Ordering Part Numbers listed in this document.

For More Information

Please contact your local AMD or Fujitsu sales office for additional information about Spansion

memory solutions.

Publication Number 21444 Revision E Amendment +2 Issue Date March 23, 2001

12 3 4 5 6 7...45

中文翻译

下载PDF

与AM29F016D-120F4E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM29F016D-120F4EB	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F016D-120F4F	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, REVERSE, MO-142CD, TSOP-40
AM29F016D-120F4I	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F016D-120F4I	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, REVERSE, MO-142CD, TSOP-40
AM29F016D-120F4IB	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F016D-120F4K	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO40, REVERSE, MO-142CD, TSOP-40
AM29F016D-120FC	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F016D-120FC	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, PDSO48, REVERSE, MO-142DD, TSOP-48
AM29F016D-120FCB	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F016D-120FE	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

与AM29F016D-120F4E相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

7
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

4
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

26
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

25

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F016D-120F4E

AM29F016D-120F4E 技术参数

AM29F016D-120F4E 数据手册

与AM29F016D-120F4E相关器件

与AM29F016D-120F4E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM29F016D-120F4E

AM29F016D-120F4E 技术参数

AM29F016D-120F4E 数据手册

与AM29F016D-120F4E相关器件

与AM29F016D-120F4E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？