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AM29F016B-70SI

更新时间： 2024-11-01 23:04:19

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超微 - AMD		/
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38页	451K
描述
16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

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AM29F016B-70SI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP44,.63
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.5	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	1000K PROGRAM/ERASE CYCLES MIN	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	32
端子数量：	44	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP44,.63
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE

AM29F016B-70SI 数据手册

PRELIMINARY

Am29F016B

16 Megabit (2 M x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10%, single power supply operation

■ Minimum 1,000,000 program/erase cycles per

sector guaranteed

■ Package options

— 48-pin and 40-pin TSOP

— 44-pin SO

— Minimizes system level power requirements

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

— Compatible with 0.5 µm Am29F016 device

■ High performance

■ Compatible with JEDEC standards

— Access times as fast as 70 ns

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

■ Low power consumption

— 25 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

— Superior inadvertent write protection

■ Data# Polling and toggle bits

— 1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— Provides a software method of detecting

program or erase cycle completion

■ Flexible sector architecture

— 32 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased

— Supports full chip erase

■ Ready/Busy# output (RY/BY#)

— Provides a hardware method for detecting

program or erase cycle completion

■ Erase Suspend/Erase Resume

— Group sector protection:

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

A hardware method of locking sector groups to

prevent any program or erase operations within

that sector group

■ Hardware reset pin (RESET#)

Temporary Sector Group Unprotect allows code

changes in previously locked sectors

— Resets internal state machine to the read mode

■ Embedded Algorithms

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

Publication# 21444 Rev: B Amendment/+2

Issue Date: April 1998

12 3 4 5 6 7...38

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与AM29F016B-70SI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM29F016B-70SIB	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Uniform Sector Flash Memory
AM29F016B-75E4C	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-75E4CB	ETC	获取价格	EEPROM
AM29F016B-75E4I	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-75E4IB	ETC	获取价格	EEPROM
AM29F016B-75EC	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-75ECB	ETC	获取价格	EEPROM
AM29F016B-75EI	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-75EIB	ETC	获取价格	EEPROM
AM29F016B-75F4C	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM

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