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AM29F016B-120DWC1

更新时间： 2024-11-02 20:28:55

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	290K
描述
Flash, 2MX8, 120ns, DIE-37

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AM29F016B-120DWC1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE-37	针数：	37
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-XUUC-N37
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	37	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIE	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

AM29F016B-120DWC1 数据手册

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SUPPLEMENT

Am29F016B Known Good Die

16 Megabit (2 M x 8-Bit)

CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory—Die Revision 1

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ 5.0 V ± 10%, single power supply operation

■ Minimum 100,000 write/erase cycles guaranteed

— Minimizes system level power requirements

■ Compatible with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with

single-power-supply Flash standard

■ Manufactured on 0.35 µm process technology

■ High performance

— Superior inadvertent write protection

— 120 ns access time

■ Data# Polling and toggle bits

■ Low power consumption

— Provides a software method of detecting program

or erase cycle completion

— 25 mA typical active read current

— 30 mA typical program/erase current

■ Ready/Busy output (RY/BY#)

— <1 µA typical standby current (standard access

time to active mode)

— Provides a hardware method for detecting

program or erase cycle completion

■ Flexible sector architecture

— 32 uniform sectors of 64 Kbytes each

— Any combination of sectors can be erased.

— Supports full chip erase

■ Erase Suspend/Resume

— Suspends a sector erase operation to read data

from, or program data to, a non-erasing sector,

then resumes the erase operation

— Group sector protection:

■ Hardware reset pin (RESET#)

A hardware method of locking sector groups to

prevent any program or erase operations within

that sector group

— Resets internal state machine to the read mode

■ Tested to datasheet specifications at

temperature

Temporary Sector Group Unprotect allows code

changes in previously locked sectors

■ Quality and reliability levels equivalent to

■ Embedded Algorithms

standard packaged components

— Embedded Erase algorithm automatically

preprograms and erases the entire chip or any

combination of designated sectors

■ 20-year data retention at 125°C

— Embedded Program algorithm automatically

writes and verifies bytes at specified addresses

Publication# 21551 Rev: C Amendment/0

Issue Date: December 1998

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与AM29F016B-120DWC1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM29F016B-120DWI1	AMD	获取价格	16 Megabit (2 M x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Sector Erase Flash Memory-Die Revision 1
AM29F016B-120DWI1	SPANSION	获取价格	Flash, 2MX8, 120ns, DIE-37
AM29F016B-120E4C	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-120E4E	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-120E4EB	ETC	获取价格	EEPROM
AM29F016B-120E4I	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-120EC	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-120EE	ETC	获取价格	x8 Flash EEPROM
AM29F016B-120EEB	ETC	获取价格	EEPROM
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