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AM29F002NBB-120PD

更新时间: 2024-11-03 19:49:31
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
41页 760K
描述
Flash, 256KX8, 120ns, PDIP32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32

AM29F002NBB-120PD 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.52最长访问时间:120 ns
其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:YES
耐久性:1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e3长度:42.037 mm
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,3
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.715 mm
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40切换位:YES
类型:NOR TYPE宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

AM29F002NBB-120PD 数据手册

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Am29F002B/Am29F002NB  
Data Sheet  
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Continuity of Specifications  
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Continuity of Ordering Part Numbers  
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For More Information  
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PHPRU\ꢀVROXWLRQVꢄ  
Publication Number 21527 Revision D Amendment +2 Issue Date August 3, 2005  

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