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AM29DL164DT120VRF

更新时间： 2024-02-17 09:00:37

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飞索 - SPANSION		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
57页	1243K
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Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, 8.15 X 6.15 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VBGA-48

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AM29DL164DT120VRF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA48,6X8,32
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	TOP BOOT BLOCK	备用内存宽度：	8
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	8.15 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	8,31
端子数量：	48	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	6.15 mm	Base Number Matches：	1

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Am29DL16xD

21533_E6 February 26, 2009

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与AM29DL164DT120VRF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AM29DL164DT120VRI	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
AM29DL164DT120VRI	SPANSION	Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, 8.15 X 6.15 MM, 0.80 MM PITCH, VBGA-48	获取价格
AM29DL164DT120WCE	ETC	x8/x16 Flash EEPROM	获取价格
AM29DL164DT120WCEN	ETC	x8/x16 Flash EEPROM	获取价格
AM29DL164DT120WCF	AMD	16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem	获取价格
AM29DL164DT120WCF	SPANSION	Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48	获取价格