5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 50 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 31.9405 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM27S291A25BLA | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A25DC | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A25DCB | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A25PC | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A25PCB | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A30BLA | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A30DC | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A30DCB | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A30PC | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
| AM27S291A30PCB | AMD |
获取价格 |
16,384-BIT (2048 x 8) BIPOLAR PROM |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
