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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 170 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 37.084 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.715 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | OTP ROMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM27C512-175LC | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| AM27C512-175LCB | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| AM27C512-175LI | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| AM27C512-175LIB | ROCHESTER |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 170ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32 |
|
| AM27C512-175PC | ROCHESTER |
获取价格 |
OTP ROM, 64KX8, 170ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 |
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| AM27C512-200DC | AMD |
获取价格 |
512 Kilobit (64 K x 8-Bit) CMOS EPROM |
|
| AM27C512-200DC | ROCHESTER |
获取价格 |
512 Kilobit ( 64 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 55 ns |
|
| AM27C512-200DC | SPANSION |
获取价格 |
UVPROM, 64KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
|
| AM27C512-200DCB | ROCHESTER |
获取价格 |
512 Kilobit ( 64 K x 8-Bit ) CMOS EPROM Speed options as fast as 55 ns |
|
| AM27C512-200DCB | AMD |
获取价格 |
512 Kilobit (64 K x 8-Bit) CMOS EPROM |
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