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AM27C040-90PC

更新时间： 2024-11-17 22:56:31

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超微 - AMD		内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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描述
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM

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AM27C040-90PC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	42.037 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.715 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

AM27C040-90PC 数据手册

FINAL

Am27C040

4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ Single +5 V power supply

— Available in speed options as fast as 90 ns

■ Low power consumption

■ ±10% power supply tolerance standard

■ 100% Flashrite™ programming

— Typical programming time of 1 minute

— <10 µA typical CMOS standby current

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

■ JEDEC-approved pinout

V_CC+ 1 V

— Plug-in upgrade for 1 Mbit and 2 Mbit EPROMs

— Easy upgrade from 28-pin JEDEC EPROMs

■ High noise immunity

■ Compact 32-pin DIP, PDIP, PLCC packages

GENERAL DESCRIPTION

The Am27C040 is a 4 Mbit ultraviolet erasable pro-

grammable read-only memory. It is organized as 512K

bytes, operates from a single +5 V supply, has a static

standby mode, and features fast single address loca-

tion programming. The device is available in windowed

ceramic DIP packages and plastic one-time program-

mable (OTP) packages.

thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-

processor system.

AMD’s CMOS process technology provides high

speed, low power, and high noise immunity. Typical

power consumption is only 100 mW in active mode,

and 50 µW in standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in

blocks, or at random. The device supports AMD’s

Flashrite programming algorithm (100 µs pulses) re-

sulting in typical programming time of 1 minute.

Data can be typically accessed in less than 90 ns, al-

lowing high-performance microprocessors to operate

without any WAIT states. The device offers separate

Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ7

Output Enable

Chip Enable

and

OE#

Output

Buffers

Prog Logic

CE#/PGM#

Gating

Decoder

A0–A18

Address

Inputs

4,194,304-Bit

Cell Matrix

Decoder

14971G-1

Publication# 14971 Rev: G Amendment/0

Issue Date: May 1998

12 3 4 5 6 7...13

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