Datasheet > AM27C040-120DIB

AM27C040-120DIB

更新时间： 2024-11-20 20:12:43

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	167K
描述
UVPROM, 512KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC,DIP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AM27C040-120DIB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.59
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
长度：	42.1 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.588 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

AM27C040-120DIB 数据手册

FINAL

Am27C040

4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ Single +5 V power supply

— Available in speed options as fast as 90 ns

■ Low power consumption

■ ±10% power supply tolerance standard

■ 100% Flashrite™ programming

— Typical programming time of 1 minute

— <10 µA typical CMOS standby current

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

■ JEDEC-approved pinout

V_CC+ 1 V

— Plug-in upgrade for 1 Mbit and 2 Mbit EPROMs

— Easy upgrade from 28-pin JEDEC EPROMs

■ High noise immunity

■ Compact 32-pin DIP, PDIP, PLCC packages

GENERAL DESCRIPTION

The Am27C040 is a 4 Mbit ultraviolet erasable pro-

grammable read-only memory. It is organized as 512K

bytes, operates from a single +5 V supply, has a static

standby mode, and features fast single address loca-

tion programming. The device is available in windowed

ceramic DIP packages and plastic one-time program-

mable (OTP) packages.

thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-

processor system.

AMD’s CMOS process technology provides high

speed, low power, and high noise immunity. Typical

power consumption is only 100 mW in active mode,

and 50 µW in standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in

blocks, or at random. The device supports AMD’s

Flashrite programming algorithm (100 µs pulses) re-

sulting in typical programming time of 1 minute.

Data can be typically accessed in less than 90 ns, al-

lowing high-performance microprocessors to operate

without any WAIT states. The device offers separate

Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ7

Output Enable

Chip Enable

and

OE#

Output

Buffers

Prog Logic

CE#/PGM#

Gating

Decoder

A0–A18

Address

Inputs

4,194,304-Bit

Cell Matrix

Decoder

14971H-1

Publication# 14971 Rev: H Amendment/0

Issue Date: August 25, 1999

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与AM27C040-120DIB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AM27C040-120EC	ETC	获取价格	x8 EPROM
AM27C040-120EI	ETC	获取价格	x8 EPROM
AM27C040-120JC	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
AM27C040-120JE	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
AM27C040-120JI	AMD	获取价格	4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS EPROM
AM27C040-120LCB	ETC	获取价格	x8 EPROM
AM27C040-120LE	ETC	获取价格	x8 EPROM
AM27C040-120LEB	ETC	获取价格	x8 EPROM
AM27C040-120LIB	ETC	获取价格	x8 EPROM
AM27C040120PC	ETC	获取价格	IC-4MB CMOS PROM

与AM27C040-120DIB相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM27C040-120DIB

AM27C040-120DIB 技术参数

AM27C040-120DIB 数据手册

与AM27C040-120DIB相关器件

与AM27C040-120DIB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

AM27C040-120DIB

AM27C040-120DIB 技术参数

AM27C040-120DIB 数据手册

与AM27C040-120DIB相关器件

与AM27C040-120DIB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？