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AM27C020-255DIB

更新时间： 2024-11-09 20:14:43

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飞索 - SPANSION		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	174K
描述
UVPROM, 256KX8, 250ns, CMOS, CDIP32, CERAMIC, DIP-32

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AM27C020-255DIB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.59
最长访问时间：	250 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
长度：	42.1 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	UVPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	5.58 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

AM27C020-255DIB 数据手册

FINAL

Am27C020

2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

■ Fast access time

■ Single +5 V power supply

— Speed options as fast as 55 ns

■ Low power consumption

■ ±10% power supply tolerance standard

■ 100% Flashrite™ programming

— Typical programming time of 32 seconds

— 100 µA maximum CMOS standby current

■ JEDEC-approved pinout

■ Latch-up protected to 100 mA from –1 V to

V_CC+ 1 V

— Plug in upgrade of 1 Mbit EPROM

— Easy upgrade from 28-pin JEDEC EPROMs

■ High noise immunity

■ Compact 32-pin DIP, PDIP, and PLCC packages

GENERAL DESCRIPTION

The Am27C020 is a 2 Megabit, ultraviolet erasable pro-

grammable read-only memory. It is organized as 256

Kwords by 8 bits per word, operates from a single +5 V

supply, has a static standby mode, and features fast

single address location programming. Products are

available in windowed ceramic DIP packages, as well

as plastic one time programmable (OTP) PDIP and

PLCC packages.

thus eliminating bus contention in a multiple bus micro-

processor system.

AMD’s CMOS process technology provides high

speed, low power, and high noise immunity. Typical

power consumption is only 100 mW in active mode,

and 100 µW in standby mode.

All signals are TTL levels, including programming sig-

nals. Bit locations may be programmed singly, in

blocks, or at random. The device supports AMD’s

Flashrite programming algorithm (100 µs pulses), re-

sulting in a typical programming time of 32 seconds.

Data can be typically accessed in less than 55 ns, al-

lowing high-performance microprocessors to operate

without any WAIT states. The device offers separate

Output Enable (OE#) and Chip Enable (CE#) controls,

BLOCK DIAGRAM

Data Outputs

DQ0–DQ7

Output Enable

Chip Enable

and

OE#

CE#

Output

Buffers

Prog Logic

PGM#

Gating

Decoder

A0–A17

Address

Inputs

2,097,152

Bit Cell

Matrix

Decoder

11507J-1

Publication# 11507 Rev: J Amendment/0

Issue Date: January 1999

12 3 4 5 6 7...12

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AM27C020-255JC5	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM
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AM27C020-255JI5	AMD	获取价格	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS EPROM
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