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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> AM0912-300
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AM0912-300

更新时间： 2024-11-04 22:05:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体射频和微波射频双极晶体管电子放大器航空局域网
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6页 78K
描述
AVIONICS APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

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AM0912-300 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.3外壳连接：BASE
最大集电极电流 (IC)：24 A配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：250 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：940 W最小功率增益 (Gp)：7 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AM0912-300 数据手册

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AM0912-300  
RF & MICROWAVE TRANSISTORS  
AVIONICS APPLICATIONS  
.
.
.
.
.
.
.
.
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION  
EMITTER SITE BALLASTED  
15:1 VSWR CAPABILITY  
LOW THERMAL RESISTANCE  
INPUT/OUTPUT MATCHING  
OVERLAY GEOMETRY  
.400 x .500 2LFL (S038)  
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE  
hermetically sealed  
POUT  
300 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN  
=
ORDER CODE  
AM0912-300  
BANDWIDTH 255 MHz  
BRANDING  
0912-300  
DESCRIPTION  
The AM0912-300 avionics power transistor is a  
broadband, high peak pulse power device speci-  
fically designed for avionics applications requiring  
broad bandwidth with moderate duty cycle and  
pulse width constraints such as ground/ship based  
DME/TACAN.  
PIN CONNECTION  
The AM0912-300 is also designed for specialized  
applications where reduced power is provided  
under pulse formats utilizing short pulse widths  
and high burst or overall duty cycles.  
This device is capable of withstanding 15:1 VSWR  
mismatch load condition at any phase angle under  
full rated conditions.  
The AM0912-300 is housed in the unique BIG-  
PAC Hermetic Metal/Ceramic package with in-  
ternal Input/Output matching structures.  
1. Collector  
2. Base  
3. Emitter  
4. Base  
°
25 C)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
=
case  
Symbol  
PDISS  
IC  
Parameter  
Value  
940  
24  
Unit  
W
A
Power Dissipation*  
Device Current*  
(TC ≤ 100°C)  
VCC  
TJ  
Collector-Supply Voltage*  
50  
V
°
°
Junction Temperature (Pulsed RF Operation)  
Storage Temperature  
250  
C
C
TSTG  
− 65 to +200  
THERMAL DATA  
RTH(j-c)  
Junction-Case Thermal Resistance*  
0.16  
°C/W  
*Applies only to rated RF amplifier operation  
September 1992  
1/6  
123456

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