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AGR19125E

更新时间： 2024-02-08 04:05:19

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TRIQUINT		晶体晶体管过程控制系统 PCS
页数	文件大小	规格书
10页	369K
描述
125 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor

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AGR19125E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AGR19125E 数据手册

AGR19125E

125 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor

Typical Performance Characteristics (continued)

DQ = 1500 mA

DQ = 1250 mA

DQ = 900 mA

100

1000

OUT, OUTPUT POWER (W) PEPS

TEST CONDITIONS:

VDD = 28 V, F = 1960 MHz, 100 kHz TONE SPACING.

Figure 6. Two-Tone Gain vs. Output Power

EFFICIENCY

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

IRL

Gps

IMD3

1880

1900

1920

1940

1960

1980

2000

2020

2040

f, FREQUENCY (MHz)S

TEST CONDITIONS:

VDD = 28 V, IDQ = 1250 mA, POUT = 125 W (PEP), 100 kHz TONE SPACING.

Figure 7. Two-Tone Broadband Performance

1...3 4 567 8 9 10

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