5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 特性阻抗： | 50 Ω | 构造： | COMPONENT |
| 最大输入功率 (CW)： | 17.99 dBm | 最大插入损耗： | 1.25 dB |
| JESD-609代码： | e0 | 最大工作频率： | 4000 MHz |
| 最小工作频率： | 最高工作温度： | 85 °C | |
| 最低工作温度： | -40 °C | 射频/微波设备类型： | DIVERSITY SWITCH |
| 端子面层： | TIN LEAD | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ADG918BRM-REEL7 | ADI |
获取价格 |
Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT |
|
| ADG918BRMZ | ADI |
获取价格 |
Wideband, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT Switches |
|
| ADG918BRMZ | ROCHESTER |
获取价格 |
0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE DIVERSITY SWITCH, 1.25 dB INSERTION LOSS, ROHS COMPLIANT, RM |
|
| ADG918BRMZ1 | ADI |
获取价格 |
Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT |
|
| ADG918BRMZ-500RL71 | ADI |
获取价格 |
Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT |
|
| ADG918BRMZ-REEL | ADI |
获取价格 |
Wideband, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT Switches |
|
| ADG918BRMZ-REEL1 | ADI |
获取价格 |
Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT |
|
| ADG918BRMZ-REEL7 | ADI |
获取价格 |
Wideband, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT Switches |
|
| ADG918BRMZ-REEL7 | ROCHESTER |
获取价格 |
0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE DIVERSITY SWITCH, 1.25 dB INSERTION LOSS, ROHS COMPLIANT, RM |
|
| ADG918BRMZ-REEL71 | ADI |
获取价格 |
Wideband 4 GHz, 43 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 2:1 Mux/SPDT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
