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ADF4355-3BCPZ-RL7

更新时间： 2024-02-29 04:49:04

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亚德诺 - ADI		输入元件信息通信管理
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描述
Microwave Wideband Synthesizer with Integrated VCO

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ADF4355-3BCPZ-RL7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HVQCCN,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	其他特性：	INPUT FREQUENCY IN SINGLE-ENDED MODE 250MHZ; WHEN DOUBLER ENABLED= 100MHZ
模拟集成电路 - 其他类型：	PHASE LOCKED LOOP	JESD-30 代码：	S-XQCC-N32
JESD-609代码：	e3	长度：	5 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	HVQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	0.8 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.4485 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.1515 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	5 mm	Base Number Matches：	1

ADF4355-3BCPZ-RL7 数据手册

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Data Sheet

ADF4355-3

TIMING CHARACTERISTICS

AV_DD= DV_DD=V_RF= V_P= V_VCO= 3.3 V 4.5%, A_GND= CP_GND= A_GNDVCO= SD_GND= A_GNDRF= 0 V, R_SET= 5.1 kΩ, dBm referred to 50 Ω, T_A= T_MIN

to T_MAX, unless otherwise noted.

Table 2. Write Timing

Parameter

Limit

Unit

Description

f_CLK

t₁

t₂

t₃

t₄

t₅

t₆

t₇

MHz max

ns min

SPI CLK frequency

LE setup time

DATA to CLK setup time

DATA to CLK hold time

CLK high duration

CLK low duration

CLK to LE setup time

LE pulse width

20 or (2/f_PFD), whichever is longer

Write Timing Diagram

t₄

t₅

CLK

t₂

t₃

DB3

DB2

(CONTROL BIT C3)

DB1

DB0 (LSB)

(CONTROL BIT C1)

DB31 (MSB)

DB30

DATA

(CONTROL BIT C4)

(CONTROL BIT C2)

t₇

t₁

t₆

Figure 2. Write Timing Diagram

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