Datasheet > ADF4355-3BCPZ-RL7

ADF4355-3BCPZ-RL7

更新时间： 2024-01-07 15:14:00

品牌	Logo	应用领域
亚德诺 - ADI		输入元件信息通信管理
页数	文件大小	规格书
35页	917K
描述
Microwave Wideband Synthesizer with Integrated VCO

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ADF4355-3BCPZ-RL7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HVQCCN,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	其他特性：	INPUT FREQUENCY IN SINGLE-ENDED MODE 250MHZ; WHEN DOUBLER ENABLED= 100MHZ
模拟集成电路 - 其他类型：	PHASE LOCKED LOOP	JESD-30 代码：	S-XQCC-N32
JESD-609代码：	e3	长度：	5 mm
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	HVQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
座面最大高度：	0.8 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.4485 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.1515 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	5 mm	Base Number Matches：	1

ADF4355-3BCPZ-RL7 数据手册

浏览型号ADF4355-3BCPZ-RL7的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号ADF4355-3BCPZ-RL7的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号ADF4355-3BCPZ-RL7的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号ADF4355-3BCPZ-RL7的Datasheet PDF文件第8页

浏览型号ADF4355-3BCPZ-RL7的Datasheet PDF文件第9页

ADF4355-3

Data Sheet

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

T_A= 25°C, unless otherwise noted.

Stresses at or above those listed under Absolute Maximum

Ratings may cause permanent damage to the product. This is a

stress rating only; functional operation of the product at these

or any other conditions above those indicated in the operational

section of this specification is not implied. Operation beyond

the maximum operating conditions for extended periods may

affect product reliability.

Table 3.

Parameter¹

Rating

V_RF, DV_DD, AV_DDto GND

AV_DDto DV_DD

V_P, V_VCO, V_REGVCOto GND

CP_OUTto GND¹

Digital Input/Output Voltage to GND

Analog Input/Output Voltage to GND

REF_INA, REF_INB to GND

−0.3 V to +3.6 V

−0.3 V to +0.3 V

−0.3 V to +3.6 V

−0.3 V to V_P+ 0.3 V

−0.3 V to DV_DD+ 0.3 V

−0.3 V to AV_DD+ 0.3 V

2.1 V

The ADF4355-3 is a high performance RF integrated circuit

with an ESD rating of 2500 V and is ESD sensitive. Take proper

precautions for handling and assembly.

REF_INA to REF_INB

TRANSISTOR COUNT

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Maximum Junction Temperature

−40°C to +105°C

−65°C to +125°C

150°C

The transistor count for the ADF4355-3 is 103,665 (CMOS) and

3214 (bipolar).

θ_JA, Thermal Impedance Pad Soldered

to GND

Reflow Soldering

27.3°C/W

ESD CAUTION

Peak Temperature

260°C

40 sec

Time at Peak Temperature

Electrostatic Discharge (ESD)

Charged Device Model

Human Body Model

500 V

2500 V

¹GND = A_GND= SD_GND= A_GNDRF= A_GNDVCO= CP_GND= 0 V.

Rev. B | Page 6 of 34

1...4 5 678 9 10...35

下载PDF

与ADF4355-3BCPZ-RL7相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ADF4355BCPZ	ADI	Microwave Wideband Synthesizer with Integrated VCO	获取价格
ADF4355BCPZ-RL7	ADI	Microwave Wideband Synthesizer with Integrated VCO	获取价格
ADF4356	ADI	6.8 GHz Wideband Synthesizer with Integrated VCO	获取价格
ADF4356_17	ADI	6.8 GHz Wideband Synthesizer with Integrated VCO	获取价格
ADF4356BCPZ	ADI	6.8 GHz Wideband Synthesizer with Integrated VCO	获取价格
ADF4356BCPZ-RL7	ADI	6.8 GHz Wideband Synthesizer with Integrated VCO	获取价格