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Datasheet > 信号电路 > 锁相环或频率合成电路> AD802-155KR
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AD802-155KR

更新时间： 2024-01-14 19:47:43
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 信号电路锁相环或频率合成电路光电二极管时钟
页数 文件大小 规格书
12页 255K
描述
Clock Recovery and Data Retiming Phase-Locked Loop

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AD802-155KR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：20
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.43
Is Samacsys：N其他特性：ALSO OPERATES ON -5.2 VOLT SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型：PHASE LOCKED LOOPJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e0长度：12.8 mm
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED功能数量：1
端子数量：20最高工作温度：70 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：220
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：2.64 mm
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

AD802-155KR 数据手册

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AD800/AD802  
5.0V  
C5  
0.1  
5.0V  
C13 0.1  
R13  
154  
R14  
154  
5.0V  
R1  
100  
R2  
100  
R10  
154  
R9  
154  
R18  
100  
R17  
100  
C17 0.1  
C14 0.1  
C3 0.1  
R15 100  
R16 100  
J1  
J2  
R5 100  
R6 100  
1
2
3
4
FRAC  
FRAC  
20  
19  
18  
17  
DATAOUT  
DATAOUT  
DATAOUT  
FRAC  
FRAC  
DATAOUT  
VCC2  
5.0V  
C15 0.1  
C4 0.1  
1
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
C9  
0.1  
SUBST  
R12  
154  
2
3
C6 0.1  
R19  
130  
R20  
130  
J3  
R11  
154  
CLKOUT  
CLKOUT  
DATAIN  
CLKOUT  
CLKOUT  
R7 100  
5
6
16  
15  
14  
13  
12  
DATAIN  
VEE  
J4  
4
5
6
7
8
Z2  
10H116  
R23  
VEE  
R8 100  
C7 0.1  
R21  
80.6  
R22  
80.6  
130  
R24  
VCC1  
R4  
100  
R3  
7
8
VEE  
130  
C19  
100  
C12  
0.1  
5.0V  
AVCC  
VCC1  
AVEE  
C8  
0.1  
5.0V  
0.1  
C10  
0.1  
J5  
5.0V  
C11  
9
DATAIN  
DATAIN  
CF1  
CF2  
C16  
0.1  
J6  
CD  
10  
11  
ASUBST  
Z1  
C20  
0.1  
AD800/802  
IN  
OUT  
R26  
80.6  
R25  
80.6  
BYPASS  
NETWORK  
5.0V  
C2  
10µF  
C21 0.1  
5.0V  
Figure 22. Evaluation Board Schem atic, Positive Supply  
Table I. Evaluation Board, P ositive Supply: Com ponents List  
D escription  
Reference  
D esignator  
Quantity  
R1–8, R15–18  
R9–14  
Resistor, 100 Ω, 1%  
Resistor, 154 Ω, 1%  
12  
6
R19, 20, 23, 24  
Resistor, 130 Ω, 1%  
4
R21, 22, 25, 26  
Resistor, 80.6 Ω, 1%  
4
CD  
C2  
C3–C21  
Z1  
Capacitor, Loop Damping (See Specifications Page)  
Capacitor, 10 µF, T antalum  
Capacitor, 0.1 µF, Ceramic Chip  
AD800/AD802  
1
1
17  
1
Z2  
10H116, ECL Line Receiver  
1
3.0  
(A)  
IN  
TO  
DEVICE  
0.1µF  
(A)  
TO DEVICE  
2.5  
2.0  
1.5  
BEADS WITH ONE LOOP  
(B)  
IN  
(B)  
BYPASS  
NETWORK  
(A, B, C,  
OR D)  
TO  
DEVICE  
0.1µF  
(C)  
BEAD WITH  
BEAD WITH  
IN  
ONE LOOP TWO LOOPS  
(C)  
IN  
TO  
DEVICE  
C2  
10µF  
0.1µF  
1.0  
0.5  
(D)  
5.0V  
BEAD WITH  
TWO LOOPS TWO LOOPS  
BEAD WITH  
(D)  
IN  
TO  
DEVICE  
0.1µF  
BYPASS NETWORK  
COMPONENTS:  
CAPACITOR ..........CERAMIC CHIP  
FERRITE BEAD......1/4 IN. STACKPOLE CARBO 57-1392  
0
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
NOISE – V p-p @ 311MHz  
Figure 23. Bypass Network Schem es  
Figure 24. AD802-155 Output J itter vs. Supply Noise  
(PECL Configuration)  
REV. B  
–9–  
1...6789101112

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