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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AD644S | ADI |
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Dual High Speed, Implanted BiFET Op Amp |
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| AD644SH | ADI |
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Dual High Speed, Implanted BiFET Op Amp |
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| AD644SH/883B | ADI |
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IC DUAL OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, MBCY8, HERMETIC SEALED, METAL CAN, T |
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| AD645 | ADI |
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Low Noise, Low Drift FET Op Amp |
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| AD6458 | ADI |
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GSM 3 V Receiver IF Subsystem |
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| AD6458ARS | ADI |
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GSM 3 V Receiver IF Subsystem |
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| AD6459 | ADI |
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GSM 3 V Receiver IF Subsystem |
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| AD6459ARS | ADI |
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GSM 3 V Receiver IF Subsystem |
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| AD6459ARS-REEL | ADI |
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IC SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PDSO20, PLASTIC, SSOP-20, Telecom IC:Other |
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| AD645A | ADI |
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Low Noise, Low Drift FET Op Amp |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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