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AD5144ABRUZ100

更新时间： 2024-01-27 20:15:59

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亚德诺 - ADI		/
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36页	784K
描述
The AD5124/AD5144/AD5144A potentiometers provide a nonvolatile solution for 128-/256-position adjustment applications, offering guaranteed low resistor tolerance errors of Â±8% and up to Â±6 mA current density in the Ax, Bx, and Wx pins.

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AD5144ABRUZ100 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-05-01 14:56:10.223	是否无铅：	含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP,	针数：	20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	2.33
其他特性：	REST RESISTOR VALUES IS 10000OHM AND CONTROL INTERFACE IS INCREMENT/DECREMENT	标称带宽：	3 kHz
控制接口：	2-WIRE SERIAL	转换器类型：	DIGITAL POTENTIOMETER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G20	JESD-609代码：	e3
长度：	6.5 mm	湿度敏感等级：	1
标称负供电电压：	-2.5 V	功能数量：	1
位置数：	256	端子数量：	20
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电阻定律：	LINEAR/LOGARITHMIC
最大电阻容差：	8%	最大电阻器端电压：	2.75 V
最小电阻器端电压：	-2.25 V	座面最大高度：	1.2 mm
标称供电电压：	2.5 V	表面贴装：	YES
标称温度系数：	35 ppm/ °C	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	标称总电阻：	100000 Ω
宽度：	4.4 mm	Base Number Matches：	1

AD5144ABRUZ100 数据手册

AD5124/AD5144/AD5144A

Data Sheet

Parameter

Symbol

Test Conditions/Comments

Min

Typ ¹Max

Unit

RESISTOR TERMINALS

Maximum Continuous Current

I_A, I_B, and I_W

R_AB= 10 kΩ

R_AB= 100 kΩ

−6

−1.5

V_SS

+1.5

V_DD

Terminal Voltage Range⁵

Capacitance A, Capacitance B³

C_A, C_B

f = 1 MHz, measured to GND,

code = half scale

R_AB= 10 kΩ

R_AB= 100 kΩ

Capacitance W³

C_W

f = 1 MHz, measured to GND,

code = half scale

R_AB= 10 kΩ

R_AB= 100 kΩ

V_A= V_W= V_B

Common-Mode Leakage Current³

−500

+500

DIGITAL INPUTS

Input Logic³

High

V_INH

V_LOGIC= 1.8 V to 2.3 V

V_LOGIC= 2.3 V to 5.5 V

0.8 × V_LOGIC

0.7 × V_LOGIC

Low

V_INL

V_HYST

I_IN

0.2 × V_LOGIC

µA

Input Hysteresis³

Input Current³

0.1 × V_LOGIC

Input Capacitance³

DIGITAL OUTPUTS

Output High Voltage³

Output Low Voltage³

C_IN

V_OH

V_OL

R_PULL-UP= 2.2 kΩ to V_LOGIC

I_SINK= 3 mA

I_SINK= 6 mA, V_LOGIC> 2.3 V

V_LOGIC

µA

0.4

0.6

Three-State Leakage Current

Three-State Output Capacitance

POWER SUPPLIES

−1

Single-Supply Power Range

Dual-Supply Power Range

Logic Supply Range

V_SS= GND

2.3

2.25

1.8

5.5

2.75

V_DD

Single supply, V_SS= GND

Dual supply, V_SS< GND

V_IH= V_LOGICor V_IL= GND

V_DD= 5.5 V

2.25

Positive Supply Current

I_DD

0.7

400

−0.7

320

5.5

µA

µW

V_DD= 2.3 V

Negative Supply Current

EEPROM Store Current^{3, 6}

EEPROM Read Current^{3, 7}

Logic Supply Current

Power Dissipation⁸

Power Supply Rejection Ratio

I_SS

V_IH= V_LOGICor V_IL= GND

−5.5

I_{DD_EEPROM_STORE}

I_{DD_EEPROM_READ}

I_LOGIC

P_DISS

PSRR

120

−60

3.5

−66

∆V_DD/∆V_SS= V_DD10%,

code = full scale

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