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ACGRAT101L-HF

更新时间： 2024-11-24 01:04:11
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上华 - COMCHIP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 1097K
描述
Low VF SMD General Purpose Rectifiers

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ACGRAT101L-HF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-N2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-N2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：200 V
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ACGRAT101L-HF 数据手册

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Low VF SMD General Purpose Rectifiers  
ACGRAT101L-HF Thru. ACGRAT105L-HF  
Glass Passivated Type  
Reverse Voltage: 200 to 1000 Volts  
Forward Current: 1.0 Amp  
RoHS Device  
Halogen Free  
2010  
Features  
- Glass passivated cavity-free junction.  
0.181(4.60)  
0.173(4.40)  
- Lead less chip form, no lead damage.  
x0.020(x0.50)  
0.091(2.30)  
0.083(2.10)  
- Low forward voltage drop.  
- Plastic package has UL 94V-0.  
- Comply with AEC-Q101  
0.045(1.15)  
0.030(0.75)  
0.045(1.15)  
0.030(0.75)  
0.046(1.16)  
0.034(0.86)  
Mechanical data  
- Case: Packed with FRP substrate and epoxy underfilled.  
- Terminals: Pure Tin plated, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
- Polarity: Cathode Band, Laser marking.  
- Weight: 0.02 grams(approx).  
Circuit Diagram  
Absolute Maximum Ratings (at Ta=25°C unless otherwise noted)  
ACGRAT  
101L-HF  
ACGRAT  
102L-HF  
ACGRAT  
103L-HF  
ACGRAT  
104L-HF  
ACGRAT  
105L-HF  
Parameter  
Symbol  
Units  
Repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
Peak forward surge current, 8.3ms  
single half sine-wave superimposed  
on rate load (JEDEC method)  
IFSM  
40  
A
Average forward current  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
IF(AV)  
TJ  
1.0  
A
-65 to +175  
-65 to +175  
°C  
°C  
TSTG  
Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
MIN.  
TYP.  
0.91  
0.08  
8.2  
70  
MAX.  
Unit  
V
-
Forward voltage  
IF =1.0A  
VF  
0.93  
-
-
-
-
Repetitive peak reverse current  
Junction capacitance  
VR =Max. VRRM, TA=25°C  
VR=4V, f=1.0MHZ  
IRRM  
CJ  
5
-
uA  
pF  
-
-
Junction to ambient (Note)  
Junction to lead (Note)  
RθJA  
RθJL  
Thermal Resistance  
°C/W  
8
Notes: Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead P.C.B. monuted on 0.2×0.2”(5.0*5.0mm) copper pad areas.  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV: B  
Page 1  
AQW-JG005  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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