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A625308A-70SI

更新时间: 2024-01-22 03:36:38
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 143K
描述
32K X 8 BIT CMOS SRAM

A625308A-70SI 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T28
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000003 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

A625308A-70SI 数据手册

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A625308A Series  
AC Test Conditions  
Input Pulse Levels  
0V, 3V  
Input Rise And Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
5 ns  
1.5V  
See Figure 1 and 2  
TTL  
TTL  
CL  
CL  
30pF  
5pF  
* Including scope and jig.  
* Including scope and jig.  
Figure 1. Output Load  
Figure 2. Output Load for tCLZ1,  
tCLZ2, tOHZ, tOLZ, tCHZ1,  
tCHZ2, tWHZ, and tOW  
Data Retention Characteristics (TA = 0°C to +70°C, -25°C to +85°C or -40°C to +85°C)  
Symbol  
Parameter  
VCC for Data Retention  
Min.  
Max.  
Unit  
Conditions  
VDR  
2.0  
5.5  
V
CE ³ VCC - 0.2V  
VCC = 2.0V,  
ICCDR  
Data Retention Current  
-
3
mA  
CE ³ VCC - 0.2V  
VIN ³ 0V  
tCDR  
tR  
Chip Disable to Data Retention Time  
Operation Recovery Time  
0
-
-
ns  
ns  
See Retention Waveform  
tRC  
PRELIMINARY  
(July, 2002, Version 0.2)  
9
AMIC Technology, Inc.  

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