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A5T3565

更新时间: 2024-11-09 19:55:39
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德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
50mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

A5T3565 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.88最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):150JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

A5T3565 数据手册

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