Datasheet > 存储 > DRAM> A43L0616BV-7UF

A43L0616BV-7UF

更新时间： 2024-01-11 13:01:40

品牌	Logo	应用领域
联笙电子 - AMICC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
45页	1276K
描述
512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM

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A43L0616BV-7UF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G50	长度：	20.955 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	Yes	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0007 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

A43L0616BV-7UF 数据手册

A43L0616B

Absolute Maximum Ratings*

*Comments

Voltage on any pin relative to VSS (Vin, Vout ) . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1.0V to +4.6V

Voltage on VDD supply relative to VSS (VDD, VDDQ )

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -1.0V to +4.6V

Storage Temperature (T^STG) . . . . . . . . . . -55°C to +150°C

Soldering Temperature X Time (T^SLODER) . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C X 10sec

Power Dissipation (P^D) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Short Circuit Current (Ios) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Permanent device damage may occur if “Absolute Maximum

Ratings” are exceeded.

Functional operation should be restricted to recommended

operating condition.

Exposure to higher than recommended voltage for extended

periods of time could affect device reliability.

Capacitance (TA=25°C, f=1MHz)

Parameter

Input Capacitance

Symbol

CI1

Condition

Min

Typ

Max

Unit

A0 to A10, BA

CLK, CKE,

CI2

CS RAS CAS

UDQM, LDQM

Data Input/Output Capacitance

CI/O

DQ0 to DQ15

DC Electrical Characteristics

Recommend operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, TA = 0ºC to +70ºC or -40ºC to +85ºC)

Parameter

Supply Voltage

Symbol

Min

3.0

2.0

-0.3

2.4

Typ

Max

Unit

Note

VDD,VDDQ

3.3

3.6

Input High Voltage

VIH

VIL

VOH

VOL

IIL

3.0

VDD+0.3

Input Low Voltage

0.8

Note 1

Output High Voltage

Output Low Voltage

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output Loading Condition

IOH = -2mA

IOL = 2mA

Note 2

0.4

-5

µA

IOL

-5

Note 3

See Figure 1

Note: 1. VIL (min) = -1.5V AC (pulse width ≤ 5ns).

2. Any input 0V ≤ VIN ≤ VDD + 0.3V, all other pins are not under test = 0V

3. Dout is disabled, 0V ≤ Vout ≤ VDD

PRELIMINARY (May, 2005, Version 0.0)

AMIC Technology, Corp.

1 2 3 456 7 8...45

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