是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | TSOP2, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.45 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 105 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 | 长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 4MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.0003 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
A43E26161V-95UF | AMICC | 1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
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A43E2616G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E2616G-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E2616V-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E2616V-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E2632G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E2632G-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E2632V-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E2632V-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E3616G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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