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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.45 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 105 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.0003 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| A43E26161V-95UF | AMICC | 1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
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| A43E2616G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43E2616G-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43E2616V-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43E2616V-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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| A43E2632G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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