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A43E16161G-75UF

更新时间: 2024-01-21 03:03:41
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 557K
描述
Synchronous DRAM, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54

A43E16161G-75UF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:FBGA, BGA54,9X9,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:S-PBGA-B54
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16端子数量:54
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.00001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

A43E16161G-75UF 数据手册

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A43E16161  
Pin Configuration (continued)  
„ 54 TSOP (II)  
54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28  
A43E16161V  
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Block Diagram  
LWE  
Data Input Register  
Bank Select  
DQM  
1M X 16  
1M X 16  
CLK  
ADD  
DQi  
Column Decoder  
Latency & Burst Length  
LRAS  
Programming Register  
LWCBR  
LCAS  
DQM  
LRAS  
LCBR  
LWE  
Timing Register  
RAS  
DQM  
CLK  
CKE  
CS  
CAS  
WE  
PRELIMINARY (February, 2008, Version 0.3)  
2
AMIC Technology, Corp.  

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