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A43E16161V-95F

更新时间: 2024-02-27 02:17:22
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联笙电子 - AMICC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
46页 1315K
描述
1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM

A43E16161V-95F 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TSOP, TSOP54,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75最长访问时间:7 ns
最大时钟频率 (fCLK):105 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G54
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16端子数量:54
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:2MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.00001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

A43E16161V-95F 数据手册

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A43E16161  
Preliminary  
1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM  
Document Title  
1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
Initial issue  
August 2, 2005  
Preliminary  
PRELIMINARY (August, 2005, Version 0.0)  
AMIC Technology, Corp.  

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