是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | TSOP, TSOP54,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 最长访问时间: | 7 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 105 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 54 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP54,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.00001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
A43E16161V-95UF | AMICC | 1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM |
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A43E1616G-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E1616G-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E1616V-75I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E1616V-95I | AMICC | 1M X 16 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM |
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A43E16321G-75F | AMICC | Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, CSP-90 |
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