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A43E16161V-95F

更新时间： 2024-01-16 08:38:30

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联笙电子 - AMICC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
46页	1315K
描述
1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM

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A43E16161V-95F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP, TSOP54,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	最长访问时间：	7 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	54
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

A43E16161V-95F 数据手册

A43E16161

Decoupling Capacitance Guide Line

Recommended decoupling capacitance added to power line at board

Parameter

Symbol

CDC1

Value

Unit

µF

Decoupling Capacitance between VDD and VSS

Decoupling Capacitance between VDDQ and VSSQ

0.1 + 0.01

CDC2

µF

Note: 1. VDD and VDDQ pins are separated each other.

All VDD pins are connected in chip. All VDDQ pins are connected in chip.

2. VSS and VSSQ pins are separated each other

All VSS pins are connected in chip. All VSSQ pins are connected in chip.

DC Electrical Characteristics

(Recommended operating condition unless otherwise noted, TA = 0ºC to +70ºC for commercial or TA = -40ºC to +85ºC for extended)

Speed

Units Note

Symbol

Parameter

Test Conditions

-75

-95

Operating Current

(One Bank Active)

Burst Length = 1

Icc1

t^RC≥ tRC(min), tCC ≥ tCC(min), IOL = 0mA

CKE ≤ VIL(max), tCC = 15ns

Icc2 P

0.3

0.5

Precharge Standby Current

in power-down mode

Icc2 PS

CKE ≤ VIL(max), tCC = ∞

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC = 15ns

Input signals are changed one time during 30ns

ICC2N

5.5

Precharge Standby Current

in non power-down mode

CKE ≥ VIH(min), CLK ≤ VIL(max), tCC = ∞

Input signals are stable.

ICC2NS

ICC3P

ICC3N

Active Standby current in

non power-down mode

(One Bank Active)

1.5

CKE ≤ VIL(max), tCC = 15ns

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC = 15ns

Input signals are changed one time during 30ns

Operating Current

(Burst Mode)

I^OL= 0mA, Page Burst

All bank Activated, t^CCD= tCCD (min)

ICC4

ICC5

Refresh Current

t^RC≥ tRC (min)

2 Banks

100

ICC6

ICC7

Self Refresh Current

CKE ≤ 0.2V

1 Banks

Deep Power Down Current

CKE ≤ 0.2V

Note: 1. Measured with outputs open. Addresses are changed only one time during tCC(min).

2. Refresh period is 64ms. Addresses are changed only one time during t^CC(min).

PRELIMINARY (August, 2005, Version 0.0)

AMIC Technology, Corp.

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