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A42L2604S-45

更新时间: 2024-01-12 09:55:29
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联笙电子 - AMICC /
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25页 261K
描述
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

A42L2604S-45 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ24/26,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:45 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0长度:17.15 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:3.56 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

A42L2604S-45 数据手册

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A42L2604 Series  
AC Characteristics (continued) (VCC = 3.3V ± 0.3V, VSS = 0V, Ta = 0°C to +70°C or -40°C to +85°C)  
Test Conditions:  
Input timing reference level: VIH/VIL=2.0V/0.8V  
Output reference level: VOH/VOL=2.0V/0.8V  
Output Load: 2TTL gate + CL (50pF)  
Assumed tT=2ns  
Std  
-45  
-50  
#
Symbol  
Parameter  
Unit  
Notes  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
40  
41  
42  
tOEH  
tOEP  
tPC  
7
-
8
-
ns  
ns  
ns  
OE Hold Time from WE  
5
-
-
5
-
-
OE High Pulse Width  
Read or Write Cycle Time (EDO Page)  
18  
20  
13  
12  
Access Time from CAS Precharge  
(EDO Page)  
43  
tCPA  
-
21  
-
23  
ns  
44  
45  
tCP  
7
-
-
8
-
-
ns  
ns  
CAS Precharge Time  
tPCM  
EDO Page Mode RMW Cycle Time  
46  
50  
EDO Page Mode CAS Pulse Width  
(RMW)  
46  
tCRW  
35  
-
38  
-
ns  
47  
48  
49  
50  
tRASP  
tCSR  
tCHR  
tRPC  
45  
5
200K  
50  
5
200K  
ns  
ns  
ns  
ns  
RAS Pulse Width (EDO Page)  
CAS Setup Time ( CAS -before-RAS)  
CAS Hold Time ( CAS -before-RAS)  
RAS to CAS Precharge Time  
-
-
-
-
-
-
3
3
10  
10  
10  
10  
51  
52  
53  
54  
tOEZ  
tRASS  
tRPS  
-
2
-
-
3
-
ns  
8
Output Buffer Turn-off Delay from OE  
100  
76  
100  
84  
ms  
ns  
ns  
RAS pulse width ( -B- self refresh)  
C
R
-
-
RAS precharge time ( -B- self refresh)  
C
R
tCHS  
-50  
-
-50  
-
CAS hold time ( -B- self refresh)  
R
C
PRELIMINARY  
(June, 2002, Version 0.3)  
8
AMIC Technology, Inc.  

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