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A42L2604S-45

更新时间： 2024-02-17 03:33:19
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC /
页数 文件大小 规格书
25页 261K
描述
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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A42L2604S-45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOJ, SOJ24/26,.34Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：45 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J24
JESD-609代码：e0长度：17.15 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ24/26,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048座面最大高度：3.56 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

A42L2604S-45 数据手册

 浏览型号A42L2604S-45的Datasheet PDF文件第5页浏览型号A42L2604S-45的Datasheet PDF文件第6页浏览型号A42L2604S-45的Datasheet PDF文件第7页浏览型号A42L2604S-45的Datasheet PDF文件第9页浏览型号A42L2604S-45的Datasheet PDF文件第10页浏览型号A42L2604S-45的Datasheet PDF文件第11页 
A42L2604 Series  
AC Characteristics (continued) (VCC = 3.3V ± 0.3V, VSS = 0V, Ta = 0°C to +70°C or -40°C to +85°C)  
Test Conditions:  
Input timing reference level: VIH/VIL=2.0V/0.8V  
Output reference level: VOH/VOL=2.0V/0.8V  
Output Load: 2TTL gate + CL (50pF)  
Assumed tT=2ns  
Std  
-45  
-50  
#
Symbol  
Parameter  
Unit  
Notes  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
20  
21  
22  
tRRH  
tRAL  
0
-
0
-
ns  
ns  
ns  
9
Read Command Hold Time Reference to RAS  
Column Address to RAS Lead Time  
20  
2
-
-
22  
3
-
-
TCOH  
Output Hold After CAS Low  
Output Buffer Turn-Off Delay Time  
Column Address Setup Time  
Column Address Hold Time  
23  
24  
25  
26  
tOFF  
tASC  
tCAH  
tOES  
-
0
2
-
-
0
3
-
ns  
ns  
ns  
ns  
8, 10  
7
-
8
-
10  
-
10  
-
Low to CAS High Set Up  
OE  
27  
28  
29  
tWCS  
tWCH  
tWCR  
Write Command Setup Time  
Write Command Hold Time  
0
7
-
-
-
0
8
-
-
-
ns  
ns  
ns  
11  
11  
40  
45  
Write Command Hold Time to RAS  
Write Command Pulse Width  
30  
31  
tWP  
7
-
-
8
-
-
ns  
ns  
tRWL  
12  
13  
Write Command to RAS Lead Time  
32  
tCWL  
7
-
8
-
ns  
Write Command to CAS Lead Time  
Data-in setup Time  
33  
34  
35  
tDS  
tDH  
0
7
-
-
-
0
8
-
-
-
ns  
ns  
ns  
Data-in Hold Time  
tDHR  
40  
45  
Data-in Hold Time to RAS  
36  
37  
tRWC  
tRWD  
Read-Modify-Write Cycle Time  
104  
59  
-
-
114  
65  
-
-
ns  
ns  
11  
11  
RAS to WE Delay Time (Read-Modify-Write)  
CAS to WE Delay Time (Read-Modify-Write)  
38  
39  
tCWD  
tAWD  
26  
34  
-
-
28  
37  
-
-
ns  
ns  
Column Address to WE Delay Time  
(Read-Modify-Write)  
11  
PRELIMINARY  
(June, 2002, Version 0.3)  
7
AMIC Technology, Inc.  
1...567891011...25

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