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A42L2604V-45F

更新时间： 2024-01-18 08:59:45

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A42L2604V-45F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2, TSOP24/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP24/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

A42L2604 Series

4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Document Title

4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

Revision History

Rev. No. History

Issue Date

Remark

0.0

0.1

0.2

Initial issue

June 13, 2001

July 10, 2001

Preliminary

Modify symbol H^Edimensions in TSOP 24L package information

Add -45 grade and modify the AC, DC data

Add -U type spec.

November 30, 2001

0.3

1.0

1.1

1.2

Modify DC data and all parts guarantee self-refresh mode

Final spec. release

June 10, 2002

June 18, 2003

April 23, 2004

October 18, 2004

Final

Add Pb-Free order

Delete 24/26L Pb-Free SOJ package type in ordering information

(October, 2004, Version 1.2)

AMIC Technology, Corp.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
A42L2604V-45U	AMICC	4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
A42L2604V-45UF	AMICC	EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24	获取价格
A42L2604V-50	AMICC	4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
A42L2604V-50F	AMICC	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24	获取价格
A42L2604V-50U	AMICC	4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
A42L2604V-50UF	AMICC	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24	获取价格