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Datasheet > A42L2604V-45F
A42L2604V-45F PDF预览

A42L2604V-45F

更新时间： 2024-02-14 02:58:02
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 330K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 45ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

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A42L2604V-45F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：TSOP2, TSOP24/26,.36Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.62访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：45 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G24
长度：17.14 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP24/26,.36封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

A42L2604V-45F 数据手册

 浏览型号A42L2604V-45F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号A42L2604V-45F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号A42L2604V-45F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号A42L2604V-45F的Datasheet PDF文件第7页浏览型号A42L2604V-45F的Datasheet PDF文件第8页浏览型号A42L2604V-45F的Datasheet PDF文件第9页 
A42L2604 Series  
Absolute Maximum Ratings*  
*Comments  
Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to this device.  
These are stress ratings only. Functional operation of  
this device at these or any other conditions above  
those indicated in the operational sections of these  
specification is not implied or intended. Exposure to  
the absolute maximum rating conditions for extended  
periods may affect device reliability.  
Input Voltage (Vin) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to +4.6V  
Output Voltage (Vout) . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to +4.6V  
Power Supply Voltage (VCC) . . . . . . . . . . . -0.5V to +4.6V  
Operating Temperature (TOPR) . . . . . . . . . . 0°C to +70°C  
Storage Temperature (TSTG) . . . . . . . . . -55°C to +150°C  
Soldering Temperature X Time (TSOLDER) . . . . . . . . . . . . . .  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C X 10sec  
Power Dissipation (PD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W  
Short Circuit Output Current (Iout) . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Latch-up Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
DC Electrical Characteristics (VCC = 3.3V ± 0.3V, VSS = 0V, Ta = 0°C to +70°C or -40°C to +85°C)  
-45  
-50  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Test Conditions  
Notes  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
IIL  
Input Leakage Current  
-5  
+5  
-5  
+5  
µA  
0V ≤ Vin ≤ Vin + 0.3V  
Pins not under  
Test = 0V  
IOL  
Output Leakage Current  
-5  
-
+5  
80  
-5  
-
+5  
75  
DOUT disabled,  
0V ≤ Vout ≤ + VCC  
µA  
ICC1  
Operating Power Supply  
Current  
mA  
1, 2  
RAS,  
,
and  
UCAS LCAS  
Address cycling; tRC = min.  
ICC2  
ICC3  
TTL Standby Power  
Supply Current  
-
-
1.5  
80  
-
-
1.5  
75  
mA  
mA  
RAS=  
=
=VIH  
UCAS LCAS  
Average Power  
Supply Current,  
1
1, 2  
1
RAS and Address cycling,  
=
= VIH,  
UCAS LCAS  
tRC = min.  
RAS Refresh Mode  
ICC4  
ICC5  
EDO Page Mode  
Average Power  
Supply Current  
-
-
80  
80  
-
-
75  
75  
mA  
mA  
RAS = VIL,  
,
and Address  
UCAS LCAS  
cycling; tPC = min.  
CAS -before-RAS  
Refresh Power  
Supply Current  
RAS,  
UCAS  
cycling; tRC = min.  
and  
LCAS  
ICC6  
ICC7  
CMOS Standby Power  
Supply Current  
-
-
1.0  
-
-
1.0  
mA  
RAS=  
=
=
UCAS LCAS  
VCC - 0.2V  
Self Refresh Mode  
Current  
350  
350  
µA  
RAS=  
≤VSS+0.2V  
CAS  
All other input high levels are  
VCC-0.2V or input low levels  
are VSS +0.2V  
VOH  
VOL  
2.4  
-
-
2.4  
-
-
V
V
IOUT = -2.0mA  
IOUT =2.0mA  
Output Voltage  
0.4  
0.4  
(October, 2004, Version 1.2)  
5
AMIC Technology, Corp.  
1...3456789...25

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